滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法 

  主要技術特性  
Q 值測量范圍  2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔  
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
工作誤差  ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器，測試頻率上限達到目前高的160MHz。

介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數(shù)值顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。

搭配了全新的介質損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用

BD916介質損耗測試裝置與本公司生產的各款高頻Q表配套，可用于測量絕緣材料的介電常數(shù)和介質損耗系數(shù)（損耗角正切值）。

BD916介質損耗測試裝置是BD916914的換代產品，它采用了數(shù)顯微測量裝置，因而讀數(shù)方便，數(shù)據精確。

BD916介質損耗測試裝置技術特性 ：

電感：
 
線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

本儀器測試儀方法如下： 

儀器的測試準備工作
先要詳細了解配用Q表的使用方法，操作時，要避免人體感應的影響。
a. 把配用的Q表主調諧電容置于較小電容量。
 

b. 把本測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端子上。
 

c. 配上和測試頻率相適應的高Q值電感線圈（本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求），           如：1MHz 時電感取250uH，15MHz時電感取1.5uH。
 

d. 短按ON/OFF按鍵，打開液晶顯示屏。
 

e. 調節(jié)平板電容器測微桿，使平板電容器二極片相接為止，長按SET按鍵將初始值設置為0。

4．介電常數(shù)Σ的測試

a. 再松開二極片，把被測樣品插入二極片之間，調節(jié)平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調節(jié)時要用測微桿，以免夾得過緊或過松），這時能讀取的測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調電容容量，使Q 表處于諧振點上。

b. 取出平板電容器中的樣品，這時Q 表又失諧，此時調節(jié)平板電容器，使Q 表再回到諧振點上，讀取測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4

c. 計算被測樣品的介電常數(shù)：
                         Σ＝D2 / D4

5．介質損耗系數(shù)的測試

a. 重新把測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端上。把被測樣品插入二極片之間，改變Q 表上的主調電容容量，使Q 表處于諧振點上，讀得Q 值，記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。

b. 取出平板電容器中的樣品，這時Q 表又失諧，再改變Q 表上的主調電容容量，使Q 表重新處于諧振點上。讀得Q 值，記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。

c. 然后取下測試裝置，再改變Q 表上的主調電容容量，重新使之諧振，電容讀數(shù)記為C3，此時可計算得到測試裝置的電容為CZ = C3 －C1

d. 計算被測樣品的介質損耗系數(shù)公式如下：

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式中：CZ 為測試裝置的電容（平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2）
                              C0 為測試電感的分布電容（參考LKI-1 電感組的分布電容值）

北廣公司其它絕緣材料檢測儀器: 

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