四探針電阻率測(cè)試儀

電阻率范圍 10-6～2×106Ω-cm 10-7～2×106Ω-cm 10-5～2×108Ω-cm

測(cè)試電流范圍 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA 1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA 10mA?---200pA

雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線(xiàn)四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

高溫材料 采用復(fù)合陶瓷纖維材料，具有真空成型，高溫不掉粉的特征

電腦和打印機(jī)1套；2.標(biāo)準(zhǔn)電阻1-5個(gè)

標(biāo)配外（選購(gòu)）：

常溫 --400℃；600℃；800℃；1000℃；1200℃；1400℃；1600℃

方塊電阻范圍 10-5～2×105Ω 10-6～2×105Ω 10-4～1×107Ω

 四探針電阻率測(cè)試儀

氣氛保護(hù)（氣體客戶(hù)自備） 常用氣體如下：氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均為無(wú)色、無(wú)臭、氣態(tài)的單原子分子

電流精度 ±0.1%讀數(shù) ±0.1讀數(shù) ±2%

直線(xiàn)型探針，探針中心間距：4mm；樣品要求大于13mm直徑

四探針儀工作電源 AC 220V±10%.50Hz  <30W 

PC軟件

溫度(選購(gòu))

采用四探針雙電組合測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測(cè)試探針治具與PC軟件對(duì)數(shù)據(jù)的處理和測(cè)量控制，解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對(duì)溫度變化測(cè)量要求，軟件實(shí)時(shí)繪制出溫度與電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線(xiàn)圖譜，及過(guò)程數(shù)據(jù)值的報(bào)表分析.

溫度精度 沖溫值：≤1-3℃；控溫精度：±1°C

規(guī)格型號(hào) FT-351A FT-351B FT-351C

測(cè)試PC軟件一套，USB通訊接口，軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)！ 

三.型號(hào)及參數(shù)：

配套方案：解決各材料狀態(tài) --固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)、顆粒狀 電阻、電阻率、電導(dǎo)率測(cè)量

電極材料 鎢電極或鉬電極 

測(cè)試方式 雙電測(cè)量

電阻精度 ≤0.3% ≤0.3% ≤10%

二.適用行業(yè)：:

供電：400-1200℃ 電源220V，功率4KW；380V;1400℃-1600℃電源380V；功率9KW：

誤差 ≤3%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果 ≤15%

探針間距 

用于：企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).

升溫速度： 常溫開(kāi)始400℃--800℃需要15分鐘；800℃-1200℃需要30分鐘；1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘

高溫電源：

一.BEST-351高溫四探針電阻率測(cè)試系統(tǒng)概述：

PC軟件界面 顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率