夾具插頭間距25mm±0.01mm 主電容調(diào)節(jié)范圍30-500/18-220pF夾具損耗角正切值≦4×10-4 （1MHz)Q測(cè)試范圍2～1023器。

可以在工頻高壓下，現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量各種決緣材料、決緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）和電容值（Cx）。儀器為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器和升壓電源，體積小、重量輕，便于攜帶，具有操作簡(jiǎn)單、自動(dòng)測(cè)量、讀數(shù)直觀、無(wú)需換算、精度高、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),亦可外接電源與本廠生產(chǎn)的各種規(guī)格的高電壓等級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)電容器配套使用，用以測(cè)量高壓介損。

全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀是一種新穎的測(cè)量介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）和電容值（Cx）的智能化儀  介質(zhì)損耗測(cè)試儀圖片該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接接地的高壓電器設(shè)備。

諧振法測(cè)試儀專業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測(cè)定儀多種測(cè)量方式 可選擇正/反接線、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測(cè)量。

正接工作原理 本測(cè)試裝置主要由一個(gè)數(shù)顯的微測(cè)量裝置和一組間距可調(diào)的平板電容器組成，平板電 容器用于夾持被測(cè)材料樣品。

介質(zhì)損耗測(cè)試裝置可與本公司生產(chǎn)的各型號(hào) Q 表配用，對(duì)決緣材料進(jìn)行高頻介 電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)（損耗角正切值）的測(cè)試。916 介質(zhì)損耗測(cè)試裝置采用了帶數(shù)顯的 微測(cè)量裝置，因而在測(cè)試時(shí)，讀數(shù)更直觀方便，數(shù)據(jù)更晶確。 

安全措施高壓保護(hù)：試品短路、擊穿或高壓電流波動(dòng)，能迅速切斷高壓輸出。防誤操作：具備防誤操作設(shè)計(jì)，能判別常見接線錯(cuò)誤，安全報(bào)警。

工作特性 1. 平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ25.4mm （標(biāo)配） 可選 極片間距可調(diào)范圍：≥15mm 2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm 3. 夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz） 4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm CVT保護(hù)：設(shè)定自激電壓的過(guò)流點(diǎn)，一旦超出設(shè)置的電流值，儀器自動(dòng)退出測(cè)量，不會(huì)損壞設(shè)備。

附表二    電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)BH916測(cè)試裝置GDAT高頻Q表把本測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到 Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。 

測(cè)微桿分辨率0.001mm主調(diào)電容誤差<1%或1pF 間距可調(diào)范圍≥15mm頻率指示誤差3×10-5±1個(gè)字測(cè)試準(zhǔn)備工作 先要詳細(xì)了解配用 Q 表的使用方法，操作時(shí)，要避免人體感應(yīng)的影響。 

專業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測(cè)定儀品止（注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿，以免夾得過(guò)緊或過(guò)松），這時(shí)能讀取的測(cè)試裝置液晶顯示 屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度 D2。改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，使 Q 表處于諧振點(diǎn)上。 b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí) Q 表又失諧，此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器，使 Q 表再 回到諧振點(diǎn)上，讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為 D4 c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù)： Σ＝D2 / D4 5．介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試 a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到 Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。 把被測(cè)樣品插入二極片之間，改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，使 Q 表處于諧振點(diǎn)上，讀得 Q 值，記為 Q2。電容讀數(shù)記為 C2。 b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí) Q 表又失諧，再改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，使 Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得 Q 值，記為 Q1。電容讀數(shù)記為 C1。 c. 然后取下測(cè)試裝置，再改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，重新使之諧振，電容讀數(shù)記 為 C3，此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為 CZ = C3 －C1 d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)     線可測(cè)量高壓介損特點(diǎn)：n 自動(dòng)簡(jiǎn)單 接線簡(jiǎn)單（正接法兩根線，反接可使用一根線），所有電纜線均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測(cè)量電壓緩升、緩降，全自動(dòng)測(cè)量，結(jié)果直讀，無(wú)須換算。

接地檢測(cè)：儀器有接地檢測(cè)功能，未接地時(shí)不能升壓測(cè)量。配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高 Q 值電感線圈（本公司 Q 表配套使用的 LKI-1 電感組 能滿足要求），如：1MHz 時(shí)電感250uH，15MHz 時(shí)電感取 抗震性能 儀器可承受長(zhǎng)途運(yùn)輸中強(qiáng)烈震動(dòng)顛簸而不會(huì)損壞。

由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角，介質(zhì)損耗因數(shù) dielectrie sspationfhctur anb式（9），（10）、（11）中，C2，R，C，R，tmz同式（7），（8）。

相對(duì)電容率relative permittivity E。Cx——充有絕緣材料時(shí)電容器的電極電容; C 真空中電容器的電極電容。損耗角δ的正E切在 SI制中，決對(duì)電容率用法/米（F/m）表示。而且，在SI單位中，電氣常數(shù)t為。-8.854×10-識(shí) F/m～素×10-F/m………………………在本標(biāo)準(zhǔn)中.用皮法和厘米來(lái)計(jì)算電容.真空電氣常款為∶介質(zhì)）慣耗指數(shù) 【aiscetrie los ndex該材料的損耗因數(shù) nm》與相對(duì)電容率E，的乘積。復(fù)相對(duì)電容率 compe rhatie permittity由相對(duì)電容率和損耗指數(shù)結(jié)合而得到的;屬=g，je…………………………e,-。……………………………(4tnd=………………………………規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。-—申聯(lián)電容; R—-—-單顆電烈有時(shí)在超過(guò)1000V的電壓下試驗(yàn)，則會(huì)引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無(wú)關(guān)的效應(yīng)，對(duì)此不予論述。

率聯(lián)元件與并聯(lián)元樣之網(wǎng)，波立下列關(guān)系，電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時(shí)，其電容C。與同排電段構(gòu)形的真空電容C。之比∶ .-3.....武申∶，——-相對(duì)電容率;

在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，不含二氧化碳的干燥空氣的相對(duì)電容率c，等于1.00053。因此，用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容C，來(lái)代替 C。測(cè)量相對(duì)電容率ε，時(shí)，也有足夠的晶確度。

c,- R-1np年-..s(10)R。=—………………………( 11)*C,R-acR有些家用額耗角正切"來(lái)表示介質(zhì)測(cè)耗調(diào)數(shù)"，因?yàn)轭伜牡臏y(cè)量結(jié)果是用損規(guī)角的正的來(lái)*的。

C---并聯(lián)電容;路--并聯(lián)電阻。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包指勘誤的內(nèi)容）或修訂取均不適用十本標(biāo)準(zhǔn)，然向，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)戰(zhàn)協(xié)議的各方錯(cuò)死是否可使用這些文件的罪新版本。凡是不注日期的引用文件.其罪新板本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 

式中∶---復(fù)相對(duì)電容率， t，-—-損耗指數(shù);、，-—-相對(duì)電容率 tuano---介質(zhì)損耗因數(shù)法，有模耗韻電容器在任何輸定的頻率下能用電存C.和電阻R，的率積電路表示，成用電市G，和電題R，（或電等和電題 R。的率聯(lián)電路來(lái)表示。C）的井聯(lián)電降糞柔，并職等值電路m-=Cg- ……4?)es= 0.088 54 pF/em介質(zhì)損耗角 dhectrtk hms ngk